磁控濺射的三個條件

　　磁控氣體放電開始濺射有三個條件

　?。?）它具有適合的放電氣壓P:DC或脈沖，如果是磁控管放電，約0.1pA~10Pa），典型值為5x10-1pA；射頻磁控管放電約為10-1~10-2Pa。

　?。?）其次，磁控管靶具有一定水平（或等效水平）的磁場強度B（約10MT~100MT），典型值為30~50mt，較小值為10~20MT（100~200高斯）。

　?。?）第三，在真空腔內，存在一個與磁場正交（或等效）的電場v，其典型值為500-700v。

　　我們稱上述三個條件為p-b-v。

　　離子鍍

　?。?）離子鍍與其它鍍層類型的主要區別在于，在基體和工件上是否施加負偏壓（直流或脈沖），以及負偏壓是否用來吸引和加速離子。蒸發鍍時基體和工件上的負偏壓為蒸發離子鍍；多弧鍍時基體和工件上的負偏壓為多弧離子鍍；發生反應時基體和工件上的負偏壓為離子鍍，這是離子鍍技術的一個重要特點。

　?。?）離子鍍是磁控濺射與離子鍍相結合的技術。在同一真空室中，可以實現氬離子在磁控靶上的穩定濺射，實現在襯底負偏壓下轟擊、濺射、注入和沉積高能靶離子的過程。在整個鍍膜過程中，基體和工件表面都有離子轟擊，能有效地去除基體和工件表面的氣體和污垢，使膜層表面保持清潔。

　?。?）離子鍍可在膜基界面形成明顯的混合過渡層（假擴散層），增加膜層的結合強度，在膜層與工件之間形成金屬間化合物和固體熔體，實現材料的表面合金化，甚至產生新的晶體結構。

　?。?）該復合膜具有結合力好、涂層包裹性好、膜結構參數可控、膜粒子總能量高、易反應沉積等優點，可在較低的溫度下制備。

　?。?）磁控濺射離子鍍可清理薄膜的柱狀晶結構，形成均勻的顆粒晶結構。